2DEG相关论文
第三代半导体的代表性材料GaN具有优异的性能,如较大禁带宽度、较高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀、抗辐射等,是制作高频、高温、......
氮化镓系材料是重要的第三代半导体材料,以其优良的性能广泛应用于航空航天、国防军工、生活消费当中。InAlN/GaN异质结构是应用于......
第三代半导体中氮化铟（In N）、氮化镓（Ga N）、氮化铝（Al N）和由其组成的多元合金化合物等III族氮化物的研究最为广泛,该类材料统称为Ga N......
材料的物理性能与表面结构和性质密切相关,引入缺陷的表面改性方式会对材料物理性能产生显著的影响。由于过渡金属氧化物具有结构......
GaAs基半导体材料凭借着其优良的性能,促使GaAs PHEMT（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,赝高电子迁移率晶体管）器......
近几年来,基于二维约瑟夫森结的热传导由于其广泛的应用前景引起了不少科研工作者的关注。由于约瑟夫森结产生的热流是结两侧超导......
用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0n......
为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件......
表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴......
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG......
摘要：采用了雷丁平衡方程描述GaN/AlGaN中2DEG系统，总结GaN基异质结中2DEG的散射机制，主要的散射机制有电离杂质散射、压电散射及合金......
在晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质外延上制备了TLM测试结构,通过提取方块电阻计算不同温度(100-525 K)的迁移率,并采用多种散射模......
通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结......
考虑到界面态影响，通过求解泊松方程，推导出了HEMT中二维电子气的电子密度表达式，对文献未考虑界面态影响的HEMT中二维电子气的电子密......
通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺，获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层．同时通过优化AlGaN／GaN异质结材料中AlN插入层......
从玻尔-索末菲量子化条件出发,以抛物线势阱为模型,建立了硅MOS结构表面反型层中二维电子气能级E满足的超越方程,并从该方程得到了......
通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量，研究了蓝宝石衬底AIGaN／GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流......
由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率......
GaN是一种宽禁带半导体材料，由于具有优越的热稳定性和化学稳定性，使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中，并可用......
文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影......
主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原......
期刊
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气（2DEG）和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力......
采用分子束外延技术（MBE）对GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气（2DEG）样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比......
从双异质结AlGaN/GaN/AlGaN HMET器件的结构特点,分析了影响二维电子气（2DEG）的若干因素,如AlGaN势垒层中AL组分、势垒层厚度、GaN层......
PbTe为Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体中的一员,具有直接跃迁和窄禁带等属性,室温带边发光位于中红外区域。与Ⅲ-Ⅴ族窄禁带半导体相比,具有......
在这篇文章中,我们主要研究了对于一个给定入射电子态,在Rashba Spin-Orbit Coupling作用下的无序系统界面处的散射,除了正入射外,......
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有异质结界面处的高二维电子气（2DEG）浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,......
大功率的肖特基器件广泛的应用于各种开关器件中,而现在商业中广泛应用的还是硅基器件,但是硅基的功率器件在高频和大功率传输上的......
GaN基HEMT器件表现出优良的微波功率性能,但是并没有商用化的产品,这是因为GaN材料晶片尺寸小、成本高、材料生长和器件工艺的稳定......
分析了AlGaN/GaNHEMT器件的结构及特性,2DEG的浓度与器件的电学特性的关系。在仿真软件ATLAS上构建器件模型,对器件的转移特性和输......
